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Mostrando 7170 referencias.
SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD50R650CEATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.1 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, IPD50R650CEATMA1, N-Canal, 6,1 A, 550 V, 3-Pin, DPAK (TO-252).
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Precio unitario: 0,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22 |
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IPD50R650CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2483 |
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IPD530N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 150 V, 0.044 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, IPD530N15N3GATMA1, N-Canal-Canal, 21 A, 150 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3.
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Precio unitario: 0,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5784 |
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IPD5N25S3430ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 250 V, 0.37 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,363€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 488 |
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IPD600N25N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, IPD600N25N3GATMA1, N-Canal-Canal, 25 A, 250 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD600N25N3 G Simple.
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Precio unitario: 1,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60N10S4L12ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,393€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3532 |
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IPD60R145CFD7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 600 V, 0.127 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4996 |
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IPD60R170CFD7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,077€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2474 |
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IPD60R180P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R180P7ATMA1, N-Canal-Canal, 18 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) 600V CoolMOS P7.
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Precio unitario: 1,756€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 188 |
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IPD60R180P7SAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R180P7SAUMA1, N-Canal-Canal, 18 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) 600V CoolMOS P7.
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Precio unitario: 0,588€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1240 |
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IPD60R1K0CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.8 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R1K0CEAUMA1, N-Canal-Canal, 6,8 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS CE.
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Precio unitario: 0,233€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2452 |
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IPD60R1K4C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,294€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4314 |
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IPD60R1K5CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3384 |
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IPD60R210CFD7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,940€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2503 |
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IPD60R280CFD7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 600 V, 0.237 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 250 |