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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD60R280P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOS2258.
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Precio unitario: 0,620€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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IPD60R280P7SAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,886€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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IPD60R2K0C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,275€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R2K0C6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,4A; 22,3W; PG-TO252-3.
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Precio unitario: 0,231€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R2K1CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,153€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2490 |
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IPD60R360P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R360P7ATMA1, N-Canal-Canal, 9 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) 600V CoolMOS P7.
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Precio unitario: 0,566€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2169 |
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IPD60R360P7SAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,662€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2551 |
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IPD60R380C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R380C6ATMA1, N-Canal-Canal, 10,6 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS C6 Simple Si.
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Precio unitario: 0,642€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4015 |
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IPD60R380P6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R380P6ATMA1, N-Canal-Canal, 10,6 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS P6.
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4858 |
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IPD60R380P6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,818€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R385CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,933€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R3K3C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 600 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,363€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5769 |
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IPD60R3K3C6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 650 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,7A; 11,1W; PG-TO252-3.
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R3K4CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 600 V, 3.17 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2057 |
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IPD60R400CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,753€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |