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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD60R450E6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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IPD60R600C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4,6A; Idm: 19A; 63W; PG-TO252.
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Precio unitario: 0,466€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R600CP |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R600E6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,401€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1726 |
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IPD60R600P6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,471€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R600P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,849€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2445 |
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IPD60R600P7SAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,464€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2265 |
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IPD60R650CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.9 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,479€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4990 |
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IPD60R750E6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.7 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,408€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1840 |
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IPD60R800CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R800CEAUMA1, N-Canal-Canal, 8,4 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS CE.
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Precio unitario: 0,268€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7705 |
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IPD60R950C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R950C6ATMA1, N-Canal-Canal, 4,4 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS C6 Simple Si.
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Precio unitario: 0,361€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2405 |
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IPD65R190C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,2A; 28W; PG-TO252-3.
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Precio unitario: 1,998€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7400 |
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IPD65R1K0CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.2 A, 650 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,413€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 277 |
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IPD65R225C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3.
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Precio unitario: 0,942€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3398 |
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IPD65R250C6XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16.1 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 78 |