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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI1317DL-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI1317DL-T1-GE3, P-Canal, 1,1 A, 20 V, 3-Pin, SOT-323 (SC-70).
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1330EDL-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 240 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 240mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, N CHANNEL, 60V, 240mA, SOT-323-3.
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Precio unitario: 0,119€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 565 |
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SI1401EDH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -4A, SOT-363-6 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SC-70-6 (SOT-363) 12V 34mohm.
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Precio unitario: 0,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1403CDL-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.1 A, -20 V, 0.116 ohm, -4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI1403CDL-T1-GE3, P-Canal, 1,6 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70).
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Precio unitario: 0,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10834 |
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SI1411DH-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -420 mA, -150 V, 2.05 ohm, -6 V, -4.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -420mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V |
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Precio unitario: 0,355€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 70 |
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SI1424EDH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,104€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1490 |
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SI1427EDH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI1443EDH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -30 V, 0.043 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,123€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14980 |
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SI1480DH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N-CH, 100V, 2.6A, 150DEG C, 2.8W Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI1480DH-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,6 A, 100 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) ThunderFET Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 100 V, 0.161 ohm, 10 V, 1.6 V.
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2810 |
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SI2300DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V.
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Precio unitario: 0,254€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4780 |
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SI2301BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -950 mV, Transistor MOSFET, SI2301BDS-T1-E3, P-Canal, 2,2 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23.
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Precio unitario: 0,207€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45000 |
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SI2301CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI2301CDS-T1-GE3, P-Canal, 2,3 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,147€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4091 |
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SI2302CDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI2302CDS-T1-E3, N-Canal, 2,6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23, MOSFET, SI2302CDS-T1-E3, N-Canal-Canal, 2,6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple.
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 26524 |
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SI2302CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,153€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19809 |
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SI2302DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI2302DDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-363 Simple.
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Precio unitario: 0,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4547 |