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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI2303CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.7 A, -30 V, 0.158 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI2303CDS-T1-GE3, P-Canal, 1,9 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, MOSFET, SI2303CDS-T1-GE3, P-Canal, 1.9 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13072 |
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SI2304BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,316€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2537 |
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SI2304DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI2304DDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3214 |
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SI2305CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V
Otros nombres: MOSFET, SI2305CDS-T1-GE3, P-Canal, 4,4 A, 8 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, MOSFET, SI2305CDS-T1-GE3, P-Canal, 4.4 A, 8 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,117€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40915 |
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SI2306BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15797 |
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SI2307BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.5 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,241€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1885 |
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SI2307CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.5 A, -30 V, 0.073 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SOT-23 30V 88mohm @ 10V - Le.
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Precio unitario: 0,161€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7664 |
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SI2308BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SOT-23 60V 130mohm @ 10V - L.
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1504 |
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SI2308BDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI2308BDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 1,9 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si, MOSFET, SI2308BDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,3 A, 60 V, 3-Pin, TO-236 Simple Si, N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29652 |
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SI2308CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS3198.
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Precio unitario: 0,075€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2462 |
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SI2309CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.6 A, -60 V, 0.285 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SI2309CDS-T1-GE3, P-Canal, 1,2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, MOSFET, SI2309CDS-T1-GE3, P-Canal, 1.2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 71976 |
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SI2312BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSS5984.
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7467 |
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SI2312CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.0265 ohm, 4.5 V, 450 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSS6497.
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 62818 |
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SI2315BDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1,19W; SOT23.
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI2315BDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: TMOSS6088, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0,48W; SOT23.
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Precio unitario: 0,346€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2629 |