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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI2318CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI2318CDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 5,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 88241 |
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SI2318DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 40V, 3.9A, TO-236, FULL REEL Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,221€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SI2318DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2,4A; 0,48W; SOT23.
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Precio unitario: 0,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3858 |
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SI2319CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.4 A, -40 V, 0.064 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, P CHANNEL, -40V, -4.4A, SOT-23-3, FULL REEL, MOSFET, SI2319CDS-T1-GE3, P-Canal, 4,4 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,169€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 224820 |
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SI2319DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -40 V, 0.062 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS6302.
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Precio unitario: 0,126€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1035 |
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SI2319DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: P CHANNEL MOSFET, -40V, 3A, TO-236, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 51186 |
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SI2323DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI2323DDS-T1-GE3, P-Canal, 4,3 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6751 |
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SI2323DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.7 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 70047 |
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SI2323DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FULL REEL Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,656€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI2325DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -530mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: TMOS2216.
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Precio unitario: 0,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9676 |
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SI2328DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI2328DS-T1-E3, N-Canal-Canal, 1,15 A, 100 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si, MOSFET, SI2328DS-T1-E3, N-Canal-Canal, 1.15 A, 100 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI2333CDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -7.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3455 |
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SI2333CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -7.1 A, -12 V, 0.0285 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: Transistor MOSFET, SI2333CDS-T1-GE3, P-Canal, 5,1 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23.
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI2333DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: MOSFET, SI2333DDS-T1-GE3, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,118€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59750 |
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SI2333DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FULL REEL Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -12 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V.
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Precio unitario: 0,479€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |