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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI2333DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: TMOS1239.
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Precio unitario: 0,595€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1670 |
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SI2334DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.9 A, 30 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5279 |
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SI2336DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.2 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOSS6484.
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Precio unitario: 0,156€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34836 |
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SI2337DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23.
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Precio unitario: 0,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 217 |
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SI2337DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: MOSFET, SI2337DS-T1-GE3, P-Canal, 1,75 A, 80 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1889 |
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SI2338DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI2338DS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13584 |
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SI2342DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 8 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V
Otros nombres: TMOS1427.
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Precio unitario: 0,152€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9000 |
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SI2343CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.9 A, -30 V, 0.037 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3, MOSFET, SI2343CDS-T1-GE3, P-Canal, 4,7 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,197€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10643 |
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SI2343DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,702€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2716 |
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SI2347DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5 A, -30 V, 0.033 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SOT-23 copper 30V 42mohm @ 1.
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Precio unitario: 0,081€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 962 |
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SI2351DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -20 V, 0.092 ohm, -4.5 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2904 |
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SI2356DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 40 V, 0.042 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: TMOSS6841.
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Precio unitario: 0,100€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5554 |
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SI2365EDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.9 A, -20 V, 0.0265 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI2365EDS-T1-GE3, P-Canal, 4,7 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,077€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11116 |
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SI2366DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.8 A, 30 V, 0.03 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI2366DS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 5,8 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,147€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI2369DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SOT-23 30V 40mohm @ 4.5V.
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Precio unitario: 0,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21349 |