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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI3457DV |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,218€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3459BDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.9 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,230€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3460DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI3460DDV-T1-GE3, N-Canal, 7,9 A, 20 V, 6-Pin, TSOP.
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Precio unitario: 0,140€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7130 |
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SI3469DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.7 A, -20 V, 0.024 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,379€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3473CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: MOSFET, SI3473CDV-T1-GE3, P-Canal, 8 A, 12 V, 6-Pin, TSOP6 Simple.
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Precio unitario: 0,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 66370 |
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SI3473DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -12 V, 0.0145 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3474DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 100 V, 0.102 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3,8A; Idm: 14A.
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Precio unitario: 0,120€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1659 |
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SI3477DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -12 V, 0.014 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: MOSFET, SI3477DV-T1-GE3, P-Canal, 8 A, 12 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3483CDV-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4541 |
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SI3493BDV-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -8A, TSOP-6 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 130 |
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SI3867DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.9 A, -20 V, 0.041 ohm, -2.5 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 46 |
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SI4048DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,219€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14124 |
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SI4056DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.1 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4056DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 11,1 A, 100 V, 8-Pin, SOIC ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,292€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2812 |
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SI4062DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 32.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1846 |
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SI4090DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.7 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4090DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 20 A, 100 V, 8-Pin, SOIC ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |