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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4100DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.8 A, 100 V, 0.051 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,469€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1165 |
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SI4102DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 100 V, 0.13 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4102DY-T1-GE3, N-Canal, 2,7 A, 100 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,366€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4103DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,236€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4834 |
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SI4128DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.9 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4128DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 7,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si, MOSFET, SI4128DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 7.5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 823 |
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SI4134DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 30 V, 0.0115 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4134DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 9,9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,245€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6133 |
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SI4136DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 46A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V 15R4967.
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Precio unitario: 0,741€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9541 |
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SI4154DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SO-8 BWL 40V 3.3mohm @10V -.
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Precio unitario: 0,568€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1677 |
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SI4162DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.3 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4162DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 13,6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si, MOSFET, SI4162DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 13.6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2762 |
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SI4164DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4164DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,526€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2465 |
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SI4166DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30.5 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOSP11089.
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Precio unitario: 0,314€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4634 |
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SI4174DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13,5A; 3,2W; SO8.
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2420 |
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SI4178DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4178DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,255€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3137 |
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SI4186DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 35.8V, 35.8A Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 35.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI4186DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 36 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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SI4190ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4190ADY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 18 A, 100 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2127 |
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SI4378DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 1,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |