Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores MOSFET » Transistores MOSFET Simples
Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SI4401BDY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.7 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
|
Precio unitario: 0,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -14 A, -40 V, 0.0118 ohm, -10 V, -2.3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS3039.
|
|
Precio unitario: 0,275€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4265 |
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -13.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI4403CDY-T1-GE3, P-Canal, 13,4 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11055 |
|
|
SI4408DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 20V, 21A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
|
Precio unitario: 2,018€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 489 |
|
|
SI4410BDY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,442€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4410BDY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4410DYTRPBF |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2869 |
|
|
SI4413ADY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
|
Precio unitario: 1,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4420BDY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9.5A, SOIC-8 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,754€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 391 |
|
|
SI4420DYTRPBF |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,523€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2791 |
|
|
SI4421DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal P, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
|
Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4425BDY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -8.8A, SOIC-8, FULL REEL Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -8.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV.
|
|
Precio unitario: 1,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
|
|
SI4430BDY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 14A, SOIC-8 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V.
|
|
Precio unitario: 1,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1996 |
|
|
SI4431BDY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5,7A; Idm: -30A; 0,9W; SO8.
|
|
Precio unitario: 0,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI4431CDY-T1-GE3, P-Canal, 7,2 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12384 |