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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4477DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -26.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOSP10413.
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Precio unitario: 0,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9209 |
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SI4488DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,744€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4488DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,759€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4490DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4490DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.85 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.85A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,796€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4497DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 BWL 30V 3.3mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,891€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4686DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14,5A; 3,3W; SO8.
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Precio unitario: 0,399€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 312 |
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SI4812BDY-T1-E3. |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4812BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,380€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 848 |
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SI4825DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -14.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 30V 13mohm @ 10V- Lead(.
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4685 |
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SI4835DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.7 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI4835DDY-T1-GE3, P-Canal, 10,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3072 |
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SI4838BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 34 A, 12 V, 0.0021 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 34A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 1,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4491 |
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SI4840BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11735 |
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SI4840BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4840BDY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9451 |
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SI4848ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.5 A, 150 V, 0.070 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 289 |