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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4848DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 1,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 233 |
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SI4848DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, SI4848DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 150 V, 8-Pin, SOIC Simple.
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Precio unitario: 1,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7181 |
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SI4850BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,312€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4990 |
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SI4850EY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8.5 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.5A, SOIC-8, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5963 |
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SI4850EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI4850EY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 8,5 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4954 |
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SI4896DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 80 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SO-8 80V 16.5mohm @ 10V Qg=.
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Precio unitario: 0,943€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7480 |
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SI4896DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.7 A, 80 V, 0.0135 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,928€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7553 |
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SI5403DC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: STDMOS1494.
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Precio unitario: 0,400€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5429DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 12 A, -30 V, 0.0122 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 329 |
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SI5432DC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.016 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,224€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5441BDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1284 |
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SI5448DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 40 V, 0.00646 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI5448DU-T1-GE3, N-Canal, 25 A, 40 V, 8-Pin, PowerPAK ChipFET.
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5749 |
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SI5475DDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI6423DQ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.2 A, -12 V, 0.0068 ohm, -1.8 V, -800 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8,2A; Idm: -30A.
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Precio unitario: 0,625€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5464 |
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SI7101DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0058 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,441€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3995 |