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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7102DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 12 V, 0.0031 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,672€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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SI7108DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK.
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Precio unitario: 0,769€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 90 |
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SI7111EDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0072 ohm, -4.5 V, -1.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 2,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7112DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,831€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7113ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -10.8 A, -100 V, 0.11 ohm, -10 V, -2.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -10.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: TMOS3201.
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Precio unitario: 0,181€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7114DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.7 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,908€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7119DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 3.8 A, -200 V, 0.86 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: P-Ch PowerPAK 1212-8 200V 1050mohm @ 10.
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Precio unitario: 0,371€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 510 |
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SI7120ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 60 V, 0.0175 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,603€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2750 |
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SI7129DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0095 ohm, -10 V, -2.8 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI7129DN-T1-GE3, P-Canal, 11,5 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si.
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Precio unitario: 0,358€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6140 |
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SI7135DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0032 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,887€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7137DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -20 V, 0.0016 ohm, -10 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A; 66,6W.
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Precio unitario: 0,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6468 |
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SI7141DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -20 V, 0.0024 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOSP12717.
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Precio unitario: 0,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8291 |
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SI7145DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0021 ohm, -10 V, -2.3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: TMOSP12871.
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Precio unitario: 0,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1300 |
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SI7149ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI7149ADP-T1-GE3, P-Canal, 18 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,329€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5865 |
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SI7149DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,746€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2629 |