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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7155DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -100 A, -40 V, 0.003 ohm, -10 V, -2.3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS6775.
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Precio unitario: 0,773€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10693 |
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SI7157DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -20 V, 0.00125 ohm, -10 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: TMOS3106.
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Precio unitario: 0,556€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5029 |
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SI7164DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI7164DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2156 |
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SI7172ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17.2 A, 200 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: STDMOS1064.
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Precio unitario: 0,404€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5995 |
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SI7190ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.4 A, 250 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SI7308DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal N, 6 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOSP11016.
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Precio unitario: 0,441€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1079 |
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SI7309DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal P, -8 A, -60 V, 0.092 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOS1837.
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Precio unitario: 0,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7849 |
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SI7336ADP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,232€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2341 |
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SI7336ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,676€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 263 |
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SI7370DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,232€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 92 |
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SI7370DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: STDMOS1198.
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Precio unitario: 1,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3435 |
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SI7386DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7386DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,950€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 499 |
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SI7413DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.4 A, -20 V, 0.012 ohm, -1.8 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,417€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 283 |
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SI7414DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Pb- Free N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET.
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Precio unitario: 0,586€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6060 |