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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7414DN-T1-GE3. |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 8.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,200€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1949 |
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SI7415DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -60 V, 0.054 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOSP8249.
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Precio unitario: 0,712€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6156 |
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SI7423DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -7.4 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor Polarity:P Channel.
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Precio unitario: 0,596€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7430DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 26 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 26A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 1,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15730 |
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SI7431DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -200 V, 0.145 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V |
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Precio unitario: 1,814€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2756 |
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SI7431DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -200 V, 0.145 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: TMOSP10866.
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Precio unitario: 1,862€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3855 |
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SI7434ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.3 A, 250 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,723€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI7434DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 250 V, 0.129 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,814€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7439DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -150 V, 0.073 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V |
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Precio unitario: 2,745€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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SI7450DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.2 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6799 |
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SI7454DDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI7454DDP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 100 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V.
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Precio unitario: 1,028€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2628 |
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SI7454DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,928€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3833 |
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SI7456DDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 27.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI7456DDP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 100 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7456DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.7 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,821€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13705 |
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SI7460DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal N, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS6181.
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Precio unitario: 0,900€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3334 |