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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHA180N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHA18N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 600 V, 0.176 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 998 |
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SIHA20N50E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,145€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 286 |
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SIHA20N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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SIHA21N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.153 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 997 |
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SIHA22N60AE-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.156 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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SIHA22N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,775€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SIHA22N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.158 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHA22N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 Simple.
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Precio unitario: 1,678€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1050 |
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SIHA240N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.208 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHA24N65EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 2,900€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 999 |
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SIHA25N60EFL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 600 V, 0.127 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 712 |
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SIHA2N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 800 V, 2.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, SIHA2N80E-GE3, N-Canal-Canal, 2,8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 E-Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,627€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1050 |
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SIHA30N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 600 V, 0.105 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,794€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHA4N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,806€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1048 |
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SIHA6N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.4 A, 800 V, 0.82 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,909€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |