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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SIHB065N60E-GE3
SIHB065N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 3,560€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
SIHB100N60E-GE3
SIHB100N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.086 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 2,377€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SIHB11N80E-GE3
SIHB11N80E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V

Precio unitario: 1,795€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 944
SIHB12N50E-GE3
SIHB12N50E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Precio unitario: 0,926€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 747
SIHB12N60E-GE3
SIHB12N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: MOSFET, SIHB12N60E-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.

Precio unitario: 0,841€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1165
SIHB12N65E-GE3
SIHB12N65E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Precio unitario: 1,222€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 289
SIHB15N50E-GE3
SIHB15N50E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Precio unitario: 1,009€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2068
SIHB15N60E-GE3
SIHB15N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: MOSFET, SIHB15N60E-GE3, N-Canal-Canal, 15 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.

Precio unitario: 1,455€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 897
SIHB180N60E-GE3
SIHB180N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 1,300€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 24
SIHB20N50E-GE3
SIHB20N50E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Precio unitario: 1,853€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6927
SIHB22N60AEL-GE3
SIHB22N60AEL-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 1,882€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 49
SIHB22N60E-GE3
SIHB22N60E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: MOSFET, SIHB22N60E-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.

Precio unitario: 1,989€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3987
SIHB22N60EF-GE3
SIHB22N60EF-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.158 ohm, 10 V, 4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: MOSFET, SIHB22N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple.

Precio unitario: 1,678€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1047
SIHB22N60S-E3
SIHB22N60S-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 1,407€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIHB22N65E-GE3
SIHB22N65E-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Precio unitario: 1,756€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1448