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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHJ6N65E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.6 A, 650 V, 0.755 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,779€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1008 |
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SIHJ7N65E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.9 A, 650 V, 0.52 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3003 |
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SIHJ8N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 600 V, 0.45 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,804€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2915 |
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SIHP050N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 51 A, 600 V, 0.043 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 51A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHP065N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP065N60E-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-220AB E Series Simple.
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Precio unitario: 3,570€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1042 |
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SIHP100N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.086 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHP10N40D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 400V
Otros nombres: MOSFET, SIHP10N40D-GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB D Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,459€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |
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SIHP11N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: TMOS2409.
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Precio unitario: 1,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 997 |
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SIHP12N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 500 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,707€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59 |
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SIHP12N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 441 |
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SIHP12N60E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHP12N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP12N60E-GE3, N-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB.
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13975 |
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SIHP15N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1088 |
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SIHP15N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP15N60E-GE3, N-Canal-Canal, 15 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1424 |
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SIHP16N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 60 |