Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores MOSFET » Transistores MOSFET Simples
Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP17N80E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
|
Precio unitario: 2,173€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP180N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 1,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
|
|
SIHP18N50C-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 500 V, 0.225 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHP18N50C-E3, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-220AB Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP18N50C-E3.. |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 500 V, 0.225 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
|
Precio unitario: 0,812€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP20N50E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
|
Precio unitario: 0,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 700 |
|
|
SIHP21N65EF-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1217.
|
|
Precio unitario: 1,901€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 433 |
|
|
SIHP22N60AEL-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 1,843€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
|
|
SIHP22N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOSP10772.
|
|
Precio unitario: 1,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2727 |
|
|
SIHP22N60EF-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.158 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP22N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB Simple.
|
|
Precio unitario: 1,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIHP22N60S-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 1,901€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP240N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.208 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 1,077€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
|
|
SIHP24N65E-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
|
Precio unitario: 2,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 807 |
|
|
SIHP24N65E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
|
Precio unitario: 2,745€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1838 |
|
|
SIHP25N40D-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 400 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 400V
Otros nombres: MOSFET, SIHP25N40D-GE3, N-Canal-Canal, 25 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB D Series Simple Si.
|
|
Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP30N60AEL-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 600 V, 0.105 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO220AB.
|
|
Precio unitario: 2,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |