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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHP30N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP30N60E-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Simple Si.
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Precio unitario: 2,561€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 730 |
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SIHP33N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP33N60E-GE3, N-Canal-Canal, 33 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Simple Si.
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Precio unitario: 2,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 642 |
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SIHP33N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,269€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHP35N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 600 V, 0.084 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,512€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHP38N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.061 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,638€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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SIHP5N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHP5N50D-GE3, N-Canal-Canal, 5,3 A, 500 V, 3-Pin, TO-220AB D Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 877 |
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SIHP6N40D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 400V
Otros nombres: MOSFET, SIHP6N40D-GE3, N-Canal-Canal, 6 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB D Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,372€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 597 |
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SIHP7N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 350 |
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SIHS90N65E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 87 A, 650 V, 0.025 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 87A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 12,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SIHU2N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 800 V, 2.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,538€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHU3N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 500 V, 2.6 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,251€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1455 |
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SIHU4N80AE-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.1 A, 800 V, 1.25 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, SIHU4N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 4,1 A, 800 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple.
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Precio unitario: 0,549€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHU4N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,726€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SIHU5N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2413 |
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SIHU7N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,731€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1670 |