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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIR872ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 53.7 A, 150 V, 0.0148 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 53.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,700€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1935 |
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SIR873DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -37 A, -150 V, 0.0395 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V |
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Precio unitario: 0,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR878ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOSP11370.
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Precio unitario: 0,820€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR878BDP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 42.5 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS2301.
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Precio unitario: 0,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5975 |
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SIR878DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.0114 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,938€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR882ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: N-Ch PowerPAK SO-8 BWL 100V 8.7mohm@10V.
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3077 |
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SIR882DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0071 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS6034.
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Precio unitario: 1,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR890DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 20 V, 0.0023 ohm, 20 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,659€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1324 |
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SIRA00DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 830 µohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA00DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,804€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1775 |
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SIRA01DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5802 |
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SIRA02DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.00165 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA02DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 50 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,639€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2867 |
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SIRA06DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA06DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,418€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2807 |
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SIRA10BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIRA12BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5950 |
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SIRA12DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 25A, POWERPAK SO-8 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5828 |