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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIRA14BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 64 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 64A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: STDMOS1242.
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRA14DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA14DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 58 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SIRA18DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA18DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 15,5 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,195€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8081 |
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SIRA20DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 25 V, 480 µohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: TMOS1688.
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Precio unitario: 0,531€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5242 |
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SIRA22DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00063 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,523€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5994 |
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SIRA24DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA28BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,141€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SIRA50DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 860 µohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,626€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA52ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 131 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 131A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,461€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRA58ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 109 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 109A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,384€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRA60DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 780 µohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 303 |
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SIRA62DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 30 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS3167.
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Precio unitario: 0,478€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA80DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 0.00047 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,639€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA84BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 70 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 70A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRA84DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,169€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |