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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIRA88DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45.5 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA88DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 45,5 A, 30 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 0,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA90DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 650 µohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS6035.
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Precio unitario: 0,473€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA90DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 650 µohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA90DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 0,577€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA96DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA99DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -195 A, -30 V, 0.0013 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -195A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA99DP-T1-GE3, P-Canal, 195 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple.
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Precio unitario: 1,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRC04DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,597€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6050 |
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SIRC06DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6050 |
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SIRC10DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5952 |
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SIRC18DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 850 µohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,479€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
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SIS108DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 80 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIS108DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIS110DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.2 A, 100 V, 0.045 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5950 |
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SIS126DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45.1 A, 80 V, 0.0085 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIS126DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 45.1 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SIS128LDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33.7 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS184DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 65.3 A, 60 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS6473.
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Precio unitario: 0,525€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3434 |
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SIS322DNT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |