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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIS402DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,655€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS407ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -18 A, -20 V, 0.0073 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: P-Ch PowerPAK1212 Cu 20V 9 mohm@4.5V.
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Precio unitario: 0,305€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS407DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -25 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A; 21W.
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Precio unitario: 0,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2422 |
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SIS410DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1476 |
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SIS413DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -18 A, -30 V, 0.0076 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch PowerPAK1212 Cu 30V 9.4mohm@10V.
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Precio unitario: 0,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS414DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6886 |
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SIS434DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 40 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: N CHANNEL MOSFET, 40V, 35A.
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Precio unitario: 0,349€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3159 |
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SIS454DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2972 |
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SIS468DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 80 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIS468DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,444€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6741 |
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SIS472BDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS2975.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6040 |
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SIS606BDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35.3 A, 100 V, 0.0145 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,526€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS862ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 52 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 52A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SIS862ADN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 52 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.
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Precio unitario: 0,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS862DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOSP11560.
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS890DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 100 V, 0.0195 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18032 |
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SIS892ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIS892ADN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 100 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si.
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13806 |