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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SISA01DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,288€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4589 |
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SISA04DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SISA04DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,449€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 367 |
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SISA18ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,184€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2475 |
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SISA24DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: STDMOS1206.
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Precio unitario: 0,267€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2861 |
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SISA26DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00215 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6045 |
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SISA40DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 162 A, 20 V, 0.00092 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 162A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,269€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISA72ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 94 A, 40 V, 0.00271 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 94A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: TMOS2640.
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Precio unitario: 0,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |
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SISA88DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40.5 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5980 |
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SISA96DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8185 |
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SISC06DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6050 |
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SISH101DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0058 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 55 |
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SISH106DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.5 A, 20 V, 0.0051 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,589€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 25 |
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SISH108DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,173€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISH110DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13.5 A, 20 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SISH112DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: STDMOS1048.
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Precio unitario: 0,550€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |