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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SISH114ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 100 |
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SISH116DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 40 V, 0.0065 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,630€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISH129DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0095 ohm, -10 V, -2.8 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,312€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SISH402DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,317€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6035 |
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SISH407DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -25 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,256€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 100 |
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SISH410DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,361€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 25 |
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SISH434DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 40 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,429€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISH472DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,243€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 100 |
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SISH615ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -20 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,205€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISH617DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0103 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: STDMOS1045.
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Precio unitario: 0,278€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5980 |
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SISH625DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0056 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SISHA04DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SISHA04DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-SH Simple.
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 46 |
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SISHA10DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SISHA10DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-SH Simple.
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Precio unitario: 0,311€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISHA12ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,289€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISHA14DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS3570.
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Precio unitario: 0,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |