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Mostrando 7170 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SISS02DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 25 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,510€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS04DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 30 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,551€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5575 |
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SISS05DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -108 A, -30 V, 0.0028 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -108A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS06DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 172.6 A, 30 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 172.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,448€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS08DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 195.5 A, 25 V, 0.00102 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 195.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS10ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 109 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 109A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS12DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 40 V, 0.00161 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: TMOS2861.
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Precio unitario: 0,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SISS22DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90.6 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS2974.
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS23DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -20 V, 0.0035 ohm, -4.5 V, 900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SISS23DN-T1-GE3, P-Canal, 27 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5686 |
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SISS26DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,781€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4106 |
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SISS26LDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 81.2 A, 60 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 81.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SISS26LDN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 81.2 A, 60 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.
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Precio unitario: 0,433€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS30DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 54.7 A, 80 V, 0.00685 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 54.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SISS30LDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 55.5 A, 80 V, 0.00705 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SISS30LDN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 55.5 A, 80 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple.
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Precio unitario: 0,442€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SISS32DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 80 V, 0.006 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 63A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,525€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SISS42DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40.5 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,561€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |