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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
PBSS9110X,135
PBSS9110X,135

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -100 V, 100 MHz, 550 mW, -1 A, 150 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -100V Frecuencia de Transición ft: 100MHz

Otros nombres: Transistor, PBSS9110X,135, PNP 1 A 100 V UPAK, 4 pines, 100 MHz, Simple.

Precio unitario: 0,116€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6355
PBSS9110Z,135
PBSS9110Z,135

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -100V Frecuencia de Transición ft: 100MHz

Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 100 V, 650 mW, 1 A, 150 hFE, Transistor, PBSS9110Z,135, PNP 1 A 100 V SOT-223 (SC-73), 4 pines, 100 MHz, Simple.

Precio unitario: 0,093€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PBSS9410PA,115
PBSS9410PA,115

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -100 V, 115 MHz, 2.1 W, -2.7 A, 295 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -100V Frecuencia de Transición ft: 115MHz

Precio unitario: 0,110€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4595
PCP1302-TD-H
PCP1302-TD-H

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -60 V, 0.2 ohm, -10 V, -2.6 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V

Otros nombres: Transistor digital, PCP1302-TD-H, SOT-89, 3 + Tab pines.

Precio unitario: 0,143€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1654
PCP1402-TD-H
PCP1402-TD-H

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.2 A, 250 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V

Otros nombres: MOSFET, PCP1402-TD-H, N-Canal-Canal, 1,2 A, 250 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si.

Precio unitario: 0,204€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PCP1403-TD-H
PCP1403-TD-H

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,141€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 138
PCP1405-TD-H
PCP1405-TD-H

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 600 mA, 250 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V

Precio unitario: 0,149€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2920
PD20010-E
PD20010-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Disipación de Potencia Pd: 59W

Precio unitario: 9,846€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 267
PD20015-E
PD20015-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 7 A, 79 W, 2 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Disipación de Potencia Pd: 79W

Precio unitario: 14,346€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 54
PD54008L-E
PD54008L-E

Fabricado por: STMicroelectronics

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26,7W; PowerFLAT™; SMT

- Precio unitario: 4,145€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD55003-E
PD55003-E

Fabricado por: STMicroelectronics

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2,5A; 31,7W; SO10RF; SMT

Otros nombres: Transistor FET de RF, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF.

Precio unitario: 7,566€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD55008-E
PD55008-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LdmoST, Canal N, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Disipación de Potencia Pd: 52.8W

Precio unitario: 8,400€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 127
PD55015-E
PD55015-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Disipación de Potencia Pd: 73W

Otros nombres: MOSFET, PD55015-E, N-Canal-Canal, 5 A, 40 V, 10-Pin, PowerSO Simple Si.

Precio unitario: 11,689€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD55025S-E
PD55025S-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Disipación de Potencia Pd: 79W

Precio unitario: 15,559€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD57006-E
PD57006-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Disipación de Potencia Pd: 20W

Otros nombres: MOSFET, PD57006-E, N-Canal-Canal, 1 A, 65 V, 4-Pin, PowerSO Simple Si.

Precio unitario: 8,565€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4