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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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RGW60TK65GVC11 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pines Corriente de Colector DC: 33A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 72W
Otros nombres: IGBT, RGW60TK65GVC11, N-Canal, 20 A, 1,5 V, TO-3PFM, 3-Pines, 1MHz.
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Precio unitario: 1,948€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 28 |
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RGW60TS65DGC11 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 178W
Otros nombres: IGBT, RGW60TS65DGC11, N-Canal, 30 A, 1,5 V, TO-247N, 3-Pines, 1MHz.
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Precio unitario: 2,105€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 26 |
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RGW60TS65GC11 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 178W
Otros nombres: IGBT, RGW60TS65GC11, N-Canal, 30 A, 1,5 V, TO-247N, 3-Pines, 1MHz.
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Precio unitario: 1,804€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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RGW80TK65DGVC11 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 39 A, 1.5 V, 81 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pines Corriente de Colector DC: 39A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 81W
Otros nombres: IGBT, RGW80TK65DGVC11, N-Canal, 23 A, 1,5 V, TO-3PFM, 3-Pines, 1MHz.
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Precio unitario: 2,551€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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RGW80TK65GVC11 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 39 A, 1.5 V, 81 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pines Corriente de Colector DC: 39A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 81W
Otros nombres: IGBT, RGW80TK65GVC11, N-Canal, 23 A, 1,5 V, TO-3PFM, 3-Pines, 1MHz.
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Precio unitario: 2,131€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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RGW80TS65DGC11 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pines Corriente de Colector DC: 78A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 214W
Otros nombres: IGBT, RGW80TS65DGC11, N-Canal, 40 A, 1,5 V, TO-247N, 3-Pines, 1MHz.
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Precio unitario: 2,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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RGW80TS65GC11 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pines Corriente de Colector DC: 78A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 214W
Otros nombres: IGBT, RGW80TS65GC11, N-Canal, 40 A, 1,5 V, TO-247N, 3-Pines, 1MHz.
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Precio unitario: 1,959€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29 |
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RHK003N06FRAT146 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 300 mA, 60 V, 0.7 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 300mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2973 |
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RHK005N03FRAT146 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 500 mA, 30 V, 0.35 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 500mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,055€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 25 |
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RHP020N06FRAT100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1010 |
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RHP020N06T100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: STDMOS1016.
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Precio unitario: 0,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RHP030N03FRAT100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 30 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 945 |
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RHP030N03T100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOSS6627.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RHU002N06FRAT106 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 200 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS1760.
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Precio unitario: 0,031€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1986 |
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RHU002N06T106 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 200 mA, 60 V, 2.4 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,039€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |