Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores
Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SCT3040KLGC11 |
|
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 55A; 262W; TO247-3
Otros nombres: MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, 18 V, 5.6 V, TMOS1470.
|
- |
Precio unitario: 39,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3040KLHRC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV |
|
Precio unitario: 31,564€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3060ALGC11 |
|
Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1515, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247-3.
|
|
Precio unitario: 10,098€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 64 |
|
|
SCT3060ALHRC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS2740.
|
|
Precio unitario: 12,707€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3080ALGC11 |
|
Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1870.
|
|
Precio unitario: 7,581€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 370 |
|
|
SCT3080ALHRC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS2741.
|
|
Precio unitario: 10,408€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3080KLGC11 |
|
Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS1869, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 31A; 165W; TO247-3.
|
|
Precio unitario: 10,864€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49 |
|
|
SCT3080KLHRC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS2742.
|
|
Precio unitario: 13,258€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3105KLGC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV |
|
Precio unitario: 8,711€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3105KLHRC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS2743.
|
|
Precio unitario: 11,635€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3120ALGC11 |
|
Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1325.
|
|
Precio unitario: 5,520€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 116 |
|
|
SCT3120ALHRC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS2744.
|
|
Precio unitario: 6,945€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SCT3160KLGC11 |
|
Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS1921, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 17A; 103W; TO247-3.
|
|
Precio unitario: 5,713€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 185 |
|
|
SCT3160KLHRC11 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 5.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOS2745.
|
|
Precio unitario: 7,294€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
|
|
SD2918 |
|
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 125 V, 6 A, 175 W, 30 MHz, M113 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 125V Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Disipación de Potencia Pd: 175W |
|
Precio unitario: 30,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |