Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores
Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SI2307CDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.5 A, -30 V, 0.073 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch MOSFET SOT-23 30V 88mohm @ 10V - Le.
|
|
Precio unitario: 0,161€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7664 |
|
|
SI2308BDS-T1-E3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SOT-23 60V 130mohm @ 10V - L.
|
|
Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1504 |
|
|
SI2308BDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SI2308BDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 1,9 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si, MOSFET, SI2308BDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 2,3 A, 60 V, 3-Pin, TO-236 Simple Si, Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V.
|
|
Precio unitario: 0,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18000 |
|
|
SI2308CDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS3198.
|
|
Precio unitario: 0,075€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2462 |
|
|
SI2309CDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.6 A, -60 V, 0.285 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, SI2309CDS-T1-GE3, P-Canal, 1,2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si, MOSFET, SI2309CDS-T1-GE3, P-Canal, 1.2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 71976 |
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSS5984.
|
|
Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7467 |
|
|
SI2312BDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3,9A; Idm: 15A; 0,48W; SOT23 |
- |
Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.0265 ohm, 4.5 V, 450 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSS6497.
|
|
Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 62818 |
|
|
SI2315BDS-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1,19W; SOT23
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV.
|
|
Precio unitario: 0,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2050 |
|
|
SI2315BDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -12A; 0,48W; SOT23
Otros nombres: P CHANNEL MOSFET, TMOSS6088.
|
- |
Precio unitario: 0,209€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI2316DS-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,3A; 0,45W; SOT23
Otros nombres: TMOS1381.
|
|
Precio unitario: 0,281€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI2318CDS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 5,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 88241 |
|
|
SI2318DS-T1-E3 |
|
Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 40V, 3.9A, TO-236, FULL REEL Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,221€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
|
|
SI2318DS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2,4A; 0,48W; SOT23.
|
|
Precio unitario: 0,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3858 |
|
|
SI2319CDS-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.4 A, -40 V, 0.064 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, P CHANNEL, -40V, -4.4A, SOT-23-3, FULL REEL, MOSFET, SI2319CDS-T1-GE3, P-Canal, 4,4 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,169€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 224820 |