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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SI4463BDY-E3
SI4463BDY-E3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11,1A; 3W; SO8

Precio unitario: 0,485€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 362
SI4463BDY-T1-E3
SI4463BDY-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 9.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Precio unitario: 0,662€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4696
SI4463BDY-T1-GE3
SI4463BDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC

Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 13.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Precio unitario: 0,844€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4463CDY-T1-GE3
SI4463CDY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -18.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Otros nombres: TMOSP10973.

Precio unitario: 0,360€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 8955
SI4465ADY-T1-E3
SI4465ADY-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -450 mV

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 13.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V

Precio unitario: 0,774€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10795
SI4465ADY-T1-GE3
SI4465ADY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC

Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 13.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V

Precio unitario: 1,504€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 88
SI4477DY-T1-GE3
SI4477DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -26.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Otros nombres: TMOSP10413.

Precio unitario: 0,585€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 9209
SI4488DY-T1-E3
SI4488DY-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V

Precio unitario: 0,744€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4488DY-T1-GE3
SI4488DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V

Precio unitario: 0,751€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4490DY-E3
SI4490DY-E3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3,2A; 3,1W; SO8

Precio unitario: 0,524€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4490DY-T1-E3
SI4490DY-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V

Precio unitario: 0,999€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4490DY-T1-GE3
SI4490DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 2.85 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.85A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V

Precio unitario: 0,788€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4497DY-T1-GE3
SI4497DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Otros nombres: P-Ch MOSFET SO-8 BWL 30V 3.3mohm @ 10V.

Precio unitario: 0,938€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4501ADY-T1-GE3
SI4501ADY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC

Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,725€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI4511DY-T1-GE3
SI4511DY-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 7.2 A, 20 V, 0.0115 ohm, 10 V, 600 mV

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Precio unitario: 0,569€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí