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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHG039N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 61 A, 600 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 61A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHG039N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 61 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC Simple.
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Precio unitario: 8,555€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG050N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 51 A, 600 V, 0.043 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 51A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,346€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 85 |
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SIHG065N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,618€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 31 |
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SIHG11N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 2,299€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 989 |
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SIHG120N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHG14N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET N-Ch 500V 14A Low Cap. TO247AC.
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Precio unitario: 1,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 415 |
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SIHG16N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 500 V, 0.317 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,678€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 403 |
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SIHG17N60D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 600 V, 0.275 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG17N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 2,347€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 480 |
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SIHG180N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, 150, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,756€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHG20N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 500 V, 0.225 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHG20N50C-E3, N-Canal-Canal, 20 A, 500 V, 3-Pin, TO-247AC Simple Si.
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Precio unitario: 1,416€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5276 |
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SIHG20N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHG20N50E-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 500 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,504€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG21N80AE-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17.4 A, 800 V, 0.205 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, SIHG21N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 17,4 A, 800 V, 3-Pin, TO-247AC Simple.
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Precio unitario: 2,406€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG22N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHG22N60E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |