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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHG47N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 5,083€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 588 |
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SIHG47N60S-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,908€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG70N60AEF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.0355 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: STDMOS1614.
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Precio unitario: 5,741€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 992 |
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SIHG73N60AE-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 600 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 5,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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SIHG73N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 69 A, 600 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 69A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 7,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHG73N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 73 A, 650 V, 0.032 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 73A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, SIHG73N60E-GE3, N-Canal-Canal, 73 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si.
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Precio unitario: 7,372€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3161 |
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SIHG80N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 600 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 8,264€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 47 |
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SIHH068N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 34 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 34A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOS2658.
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Precio unitario: 3,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH100N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOS3151.
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Precio unitario: 2,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH11N60EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 600 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH120N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,908€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHH14N60EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.231 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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SIHH180N60E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,910€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH21N65E-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20.3 A, 650 V, 0.148 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 2,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHH21N65EF-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.8 A, 650 V, 0.157 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1216.
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Precio unitario: 2,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |