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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHP12N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 441 |
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SIHP12N60E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHP12N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP12N60E-GE3, N-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB.
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13975 |
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SIHP14N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB
Otros nombres: MOSFET N-Ch 500V 14A Low Cap. TO220AB.
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Precio unitario: 1,542€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHP15N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1088 |
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SIHP15N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP15N60E-GE3, N-Canal-Canal, 15 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1424 |
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SIHP16N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 60 |
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SIHP17N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 2,173€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHP180N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
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SIHP18N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 500 V, 0.225 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHP18N50C-E3, N-Canal-Canal, 17 A, 500 V, 3-Pin, TO-220AB Simple Si.
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Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHP18N50C-E3.. |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 500 V, 0.225 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,812€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHP20N50E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 700 |
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SIHP21N65EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: TMOS1217.
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Precio unitario: 1,901€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 433 |
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SIHP22N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,843€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
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SIHP22N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: TMOSP10772.
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Precio unitario: 1,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2727 |