Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores
Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SIHS36N50D-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 446W; SUPER247
Otros nombres: MOSFET N-Ch 500V 36A Low Cap. Super247.
|
|
Precio unitario: 4,704€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 12 |
|
|
SIHS90N65E-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 87 A, 650 V, 0.025 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 87A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
|
Precio unitario: 12,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
|
|
SIHU2N80E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 800 V, 2.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
|
Precio unitario: 0,544€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIHU3N50D-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 500 V, 2.6 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
|
Precio unitario: 0,251€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1455 |
|
|
SIHU4N80AE-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.1 A, 800 V, 1.25 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, SIHU4N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 4,1 A, 800 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple.
|
|
Precio unitario: 0,549€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHU4N80E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.3 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
|
Precio unitario: 0,726€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
|
|
SIHU5N50D-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
|
Precio unitario: 0,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2413 |
|
|
SIHU7N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 0,731€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1670 |
|
|
SIHW21N80AE-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17.4 A, 800 V, 0.205 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, SIHW21N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 17,4 A, 800 V, 3-Pin, TO-247AD Simple.
|
|
Precio unitario: 2,406€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHW33N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 3,773€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 134 |
|
|
SIHW47N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 47A, TO-247AD-3 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 7,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 126 |
|
|
SIJ186DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 79.4 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 79.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
|
Precio unitario: 0,453€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIJ188DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 92.4 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 92.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
|
Precio unitario: 0,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIJ400DP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,886€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIJ438ADP-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 169 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 169A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,529€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |