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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIR440DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A; 66,6W
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 20 V, 0.00125 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 1,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR460DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,437€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR462DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIR462DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,425€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5208 |
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SIR464DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 50A, POWERPAK8 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,599€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR466DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIR466DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,418€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5642 |
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SIR468DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 113 |
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SIR472DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2510 |
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SIR606BDP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.7 A, 100 V, 0.0145 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS7055.
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Precio unitario: 0,489€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIR608DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 208 A, 45 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 208A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V
Otros nombres: TMOS3168.
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Precio unitario: 0,742€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 45 |
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SIR610DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35.4 A, 200 V, 0.0239 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: TMOS2823.
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Precio unitario: 0,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR622DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 51.6 A, 150 V, 0.0147 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 51.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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SIR624DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.6 A, 200 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,372€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5965 |
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SIR626DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SIR626DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 0,843€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14871 |
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SIR626LDP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 186 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 186A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR632DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 150 V, 0.0285 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: MOSFET, SIR632DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 29 A, 150 V, 8-Pin, SO Simple.
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Precio unitario: 0,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4085 |