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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIR804DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 1,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR826ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 80 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,756€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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SIR826BDP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80.8 A, 80 V, 0.00435 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |
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SIR826DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 80 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR836DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 50A; 10W
Otros nombres: TMOS6333.
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Precio unitario: 0,427€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR846ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIR846ADP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 100 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,818€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2676 |
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SIR864DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,369€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2416 |
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SIR870ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIR870ADP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 100 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple Si.
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Precio unitario: 0,848€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR870ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11428 |
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SIR872ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 53.7 A, 150 V, 0.0148 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 53.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,713€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12000 |
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SIR873DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -37 A, -150 V, 0.0395 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V |
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Precio unitario: 0,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR878ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOSP11370.
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Precio unitario: 0,820€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR878BDP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 42.5 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS2301.
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Precio unitario: 0,598€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5975 |
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SIR878DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 100 V, 0.0114 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,938€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIR882ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: N-Ch PowerPAK SO-8 BWL 100V 8.7mohm@10V.
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3077 |