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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIZ340DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIZ340DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR PowerPAIR Serie Si.
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Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ348DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 30 V, 0.00593 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,385€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ350DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 30 V, 0.00563 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5674 |
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SIZ730DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,278€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ790DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ910DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,818€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ916DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2915 |
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SIZ918DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,419€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2955 |
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SIZ920DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,622€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ926DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 25 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,521€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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SIZ980DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,537€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZ998DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,522€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17388 |
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SIZF906ADT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,525€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIZF914DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 25 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V |
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Precio unitario: 0,590€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIZF916DT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5.
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Precio unitario: 0,597€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6050 |