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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SKIIP39GA12T4V1 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor,emisor compartido; IGBT x3 |
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Precio unitario: 104,860€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKIIP39GB12E4V1 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 400A |
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Precio unitario: 161,020€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKIIP39GB12VV1 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 400A |
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Precio unitario: 188,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKIIP39MLI07E3V1 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; diodo/transistor; Inversor de 3 niveles unifase |
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Precio unitario: 146,470€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKIIP39TMLI12T4V2 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; TNPC inversor de 3 niveles |
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Precio unitario: 156,170€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKIM200GD126D |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 352,110€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKIM601MLI07E4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Cuádruple, 438 A, 1.45 V, 650 V, Module Polaridad de Transistor: NPN Cuádruple Corriente de Colector DC: 438A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 255,110€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SKM100GAL12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 160A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GAL12T4, N-Canal, 160 A, 1.200 V 1 Simple.
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Precio unitario: 52,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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SKM100GAL17E4 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 44,135€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKM100GB063D |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 130A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GB063D, N-Canal, 130 A, 600 V, SEMITRANS2, 7-Pines 2 Medio puente.
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Precio unitario: 60,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKM100GB125DN |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.3V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GB125DN, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 118,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 26 |
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SKM100GB12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 160A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GB12T4 , N-Canal, 160 A, 1200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 63,244€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22 |
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SKM100GB12T4G |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 118A |
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Precio unitario: 71,877€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKM100GB12V |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 100A
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 159 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 56,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 13 |
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SKM100GB176D |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 75A
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GB176D, N-Canal, 125 A, 1700 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 78,764€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |