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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQJQ906EL-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 160 A, 40 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 160A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,077€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1985 |
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SQJQ960EL-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 36A; 24W; PowerPAK® 8x8L |
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQM100N04-2M7-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQM100P10-19L-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQM10250E_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 250 V, 0.0244 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: TMOS6746.
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Precio unitario: 1,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQM120N03-1M5L-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SQM120N04-1M9-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,222€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 78 |
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SQM120N06-3M5L-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQM120N10-3M8-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQM120P06-07L-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -120A; Idm: -480A; 125W; D2PAK |
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Precio unitario: 1,911€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQM120P06-07L_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -120 A, -60 V, 0.0056 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: AEQC101 Qualified P-CHANNEL 60-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 1,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11186 |
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SQM30010EL_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SQM40010EL_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.00121 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,145€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 595 |
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SQM40014EM_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 200 A, 40 V, 840 µohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,639€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 681 |
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SQM40016EM_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 250 A, 40 V, 0.00081 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 250A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQM40016EM_GE3, N-Canal-Canal, 250 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 1,344€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |