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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
BSC600N25NS3GATMA1
BSC600N25NS3GATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 250 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V

Otros nombres: MOSFET, BSC600N25NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 25 A, 250 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.

Precio unitario: 1,154€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 8810
BSC670N25NSFDATMA1
BSC670N25NSFDATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 250 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V

Precio unitario: 1,145€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSC750N10NDGATMA1
BSC750N10NDGATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 100 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Otros nombres: MOSFET, BSC750N10NDGATMA1 Dual, N-Canal, 13 A, 100 V, 8-Pin, TDSON.

Precio unitario: 0,559€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSC882N03LSGATMA1
BSC882N03LSGATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 34 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Tensión Drenador-Fuente (Vds): 34V Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.0042ohm

- Precio unitario: 0,362€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5000
BSC883N03LSGATMA1
BSC883N03LSGATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 98 A, 34 V, 0.0032 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 98A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 34V

Precio unitario: 0,243€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4607
BSC886N03LSGATMA1
BSC886N03LSGATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,194€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4906
BSC900N20NS3GATMA1
BSC900N20NS3GATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 15.2 A, 200 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V

Otros nombres: MOSFET, BSC900N20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 15,2 A, 200 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si.

Precio unitario: 0,583€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4150
BSD223PH6327XTSA1
BSD223PH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -390mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Precio unitario: 0,058€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 22633
BSD235CH6327XTSA1
BSD235CH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Complemento N y P, 950 mA, 20 V

Polaridad de Transistor: Complemento N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 950mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Otros nombres: MOSFET, BSD235CH6327XTSA1, Dual, N/P-Canal, 530 mA, 950 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) OptiMOS 2 Aislado Si.

Precio unitario: 0,076€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2405
BSD235NH6327XTSA1
BSD235NH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 950 mA, 20 V, 0.266 ohm, 4.5 V, 950 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 950mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Otros nombres: MOSFET, BSD235NH6327XTSA1, Dual, N-Canal-Canal, 950 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) OptiMOS 2 Aislado Si.

Precio unitario: 0,074€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 33234
BSD314SPEH6327XTSA
BSD314SPEH6327XTSA

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1,5A; 0,5W; PG-SOT-363

Precio unitario: 0,054€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 2686
BSD314SPEH6327XTSA1
BSD314SPEH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -1.5 A, 30 V, 0.107 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,160€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 8708
BSD316SNH6327XTSA1
BSD316SNH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,138€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 36845
BSD816SNL6327HTSA1
BSD816SNL6327HTSA1

Fabricado por: Infineon Technologies

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1,4A; 0,5W; SOT363

Precio unitario: 0,043€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSD840NH6327XTSA1
BSD840NH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Canal N Doble, 880 mA, 20 V, 0.27 ohm

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 880mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Otros nombres: MOSFET, BSD840NH6327XTSA1, Dual, N-Canal-Canal, 880 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) OptiMOS 2 Aislado Si.

Precio unitario: 0,071€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 12104