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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
BSP295H6327XTSA1
BSP295H6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.8 A, 60 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Otros nombres: MOSFET, BSP295H6327XTSA1, N-Canal-Canal, 1,8 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.

Precio unitario: 0,285€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 360
BSP296
BSP296

Fabricado por: Infineon Technologies

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,1A; 1,8W; SOT223

Precio unitario: 0,244€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 264
BSP296NH6327XTSA1
BSP296NH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.2 A, 100 V, 0.329 ohm, 10 V, 1.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Otros nombres: MOSFET, BSP296NH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 1,2 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 OptiMOS Simple Si.

Precio unitario: 0,269€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 971
BSP297H6327XTSA1
BSP297H6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, 1.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 660mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V

Otros nombres: MOSFET, BSP297H6327XTSA1, N-Canal-Canal, 660 mA, 200 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.

Precio unitario: 0,263€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1039
BSP298H6327XUSA1
BSP298H6327XUSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 500 mA, 400 V, 2.2 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 500mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 400V

Otros nombres: MOSFET, BSP298H6327XUSA1, N-Canal, 500 mA, 400 V, 3+Tab-Pin, SOT-223.

Precio unitario: 0,421€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1945
BSP299H6327XUSA1
BSP299H6327XUSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 400 mA, 500 V, 3.1 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 400mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Otros nombres: MOSFET, BSP299H6327XUSA1, N-Canal, 400 mA, 500 V, 3+Tab-Pin, SOT-223.

Precio unitario: 0,452€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 460
BSP300H6327XUSA1
BSP300H6327XUSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 190 mA, 800 V, 15 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 190mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V

Otros nombres: MOSFET, BSP300H6327XUSA1, N-Canal, 190 mA, 800 V, 3+Tab-Pin, SOT-223, Transistor MOSFET, BSP300H6327XUSA1, N-Canal, 190 mA, 800 V, 3+Tab-Pin, SOT-223.

Precio unitario: 0,432€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 970
BSP31,115
BSP31,115

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -60 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Frecuencia de Transición ft: 100MHz

Otros nombres: Transistor, BSP31,115, PNP 1 A 60 V SOT-223 (SC-73), 4 pines, 100 MHz, Simple.

Precio unitario: 0,283€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2835
BSP31.115
BSP31.115

Fabricado por: NEXPERIA

Transistores PNP SMD

Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1,3W; SOT223

Precio unitario: 0,160€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 623
BSP315PH6327XTSA1
BSP315PH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -1.17 A, -60 V, 0.5 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V

Otros nombres: MOSFET, BSP315PH6327XTSA1, P-Canal, 1,17 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.

Precio unitario: 0,238€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1810
BSP316P L6327
BSP316P L6327

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -680 mA, -100 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -680mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V

Precio unitario: 0,210€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSP316PH6327XTSA1
BSP316PH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -680 mA, -100 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -680mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V

Precio unitario: 0,236€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1965
BSP317PH6327XTSA1
BSP317PH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -430mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -250V

Otros nombres: MOSFET, BSP317PH6327XTSA1, P-Canal, 430 mA, 250 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.

Precio unitario: 0,277€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2300
BSP318SH6327XTSA1
BSP318SH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Otros nombres: MOSFET, BSP318SH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 2,6 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.

Precio unitario: 0,236€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 488
BSP320SH6327XTSA1
BSP320SH6327XTSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 2.9 A, 60 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Otros nombres: MOSFET, BSP320SH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 2,9 A, 60 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si.

Precio unitario: 0,230€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3095