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| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FDY3000NZ |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 600 mA, 20 V, 0.7 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDY3000NZ, Dual, N-Canal-Canal, 600 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Aislado Si.
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Precio unitario: 0,092€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8430 |
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FDY300NZ |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDY300NZ, N-Canal-Canal, 600 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,130€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 252 |
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FDY301NZ |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 200 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDY301NZ, N-Canal-Canal, 200 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,065€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2856 |
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FDY302NZ |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDY302NZ, N-Canal-Canal, 600 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Simple Si.
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Precio unitario: 0,044€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2779 |
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FDY4000CZ |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 600 mA, 20 V, 0.7 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 600mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, FDY4000CZ, Dual, N/P-Canal, 350 mA, 600 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Aislado Si.
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Precio unitario: 0,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7865 |
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FDZ191P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 3 A, -20 V, 0.067 ohm, -4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,166€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2051 |
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FDZ193P |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3 A, -20 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,177€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF1000R17IE4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.39kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1.700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie, Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie.
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Precio unitario: 562,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF100R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
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Precio unitario: 71,644€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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FF100R12RT4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie.
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Precio unitario: 42,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18 |
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FF11MR12W1M1-B11 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 171,690€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF1200R12IE5BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 603,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FF1200R12IE5PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 604,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF1400R12IP4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1400R12IP4BOSA1, N-Canal, 1,4 kA, 1.200 V, AG-PRIME3-1 Serie.
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Precio unitario: 581,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF1400R17IP4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.4 kA, 1.75 V, 9.55 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1400R17IP4BOSA1, Serie, 1,4 kA, 1700 V, N-Canal, AG-PRIME3-1.
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Precio unitario: 701,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |