Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores
Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FF75R12RT4HOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 395 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF75R12RT4HOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Módulo 34MM, 7-Pines Serie.
|
|
Precio unitario: 42,854€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
|
|
FF800R17KE3NOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.15 kA, 2 V, 4.45 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.15kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
|
Precio unitario: 706,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
|
|
FF8MR12W2M1B11 |
|
Fabricado por:
|
|
Precio unitario: 291,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF900R12IE4 |
|
Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 900A
Otros nombres: IGBT1547.
|
|
Precio unitario: 636,320€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF900R12IE4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF900R12IE4BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, PrimePACK2, 10-Pines Serie.
|
|
Precio unitario: 434,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF900R12IE4PBOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 427,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
|
|
FF900R12IP4BOSA2 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 434,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF900R12ME7B11 |
|
Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 900A |
- |
Precio unitario: 275,480€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FFB2222A |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 300 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Transistor, FFB2222A, NPN 500 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 300 MHz, Aislado, Transistor, FFB2222A, NPN 500 mA 40 V HFE:100 Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 300 MHz,.
|
|
Precio unitario: 0,055€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FFB2227A |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, 30 hFE, SC-70, Transistor, FFB2227A, NPN + PNP 500 mA 30 V Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
|
|
Precio unitario: 0,076€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FFB2907A |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP, 60 V, 300 mW, 600 mA, 300 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Transistor, FFB2907A, PNP 600 mA 60 V Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 100 MHz, Aislado.
|
|
Precio unitario: 0,063€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FFB3904 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 300 mW, 200 mA, 40 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 300mW |
|
Precio unitario: 0,066€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FFB3906.. |
|
Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 40 V, 200 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
|
Precio unitario: 0,055€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FFB3946 |
|
Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 300 mW, 200 mA, 100 hFE, SC-70 Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 300mW |
|
Precio unitario: 0,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FG6943010R |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 100 mA, 30 V, 2 ohm, 4 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, FG6943010R, Dual, N/P-Canal, 100 mA, 30 V, 6-Pin, SSMini6 F3 B FG Aislado Si.
|
|
Precio unitario: 0,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7277 |