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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FP25R12W2T4PB11BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 33,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18 |
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FP25R12W2T4PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 32,961€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP30R06KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 37 A, 1.55 V, 125 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 37A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V |
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Precio unitario: 55,853€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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FP30R06W1E3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V
Otros nombres: IGBT2088.
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Precio unitario: 23,532€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP30R06W1E3BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 37A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V |
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Precio unitario: 29,488€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16 |
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FP35R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, ECONO2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Econo2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 65,553€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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FP35R12KT4B15BOSA1 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 74,690€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP35R12KT4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 62,691€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 54 A, 1.85 V, 215 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 54A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP35R12W2T4B11BOMA1, N-Canal, 54 A, 1.200 V, EASY2B, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 41,438€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 57 |
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FP35R12W2T4BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 54 A, 1.85 V, 215 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 54A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP35R12W2T4BOMA1, N-Canal, 54 A, 1.200 V, AG-EASY2B-1 Trifásico.
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Precio unitario: 40,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 44 |
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FP35R12W2T4PB11BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 35 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 35,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16 |
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FP35R12W2T4PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 35 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 37,646€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP40R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 55 A, 2.3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPIM Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 55A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP40R12KE3BOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, EconoPIM2, 24-Pines Trifásico.
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Precio unitario: 63,234€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 358 |
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FP40R12KE3GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 55 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 55A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 81,393€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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FP40R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 40 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A.
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Precio unitario: 72,459€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 47 |