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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FP75R12KE3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V
Otros nombres: IGBT1839.
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Precio unitario: 148,410€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP75R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, AG-ECONO3-3 Trifásico.
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Precio unitario: 129,010€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP75R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 118,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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FP75R12KT4 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A
Otros nombres: IGBT3110.
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Precio unitario: 141,620€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP75R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 123,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FP75R12KT4B15BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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FP75R12KT4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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FP75R12KT4PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 112,520€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FQA10N80C-F109 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 1,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 209 |
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FQA11N90C-F109 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, FQA11N90C_F109, N-Canal, 11 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN.
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQA13N80-F109 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12.6 A, 800 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, FQA13N80_F109, N-Canal, 12.6 A, 800 V, 3-Pin, TO-3PN.
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Precio unitario: 1,959€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQA140N10 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 140 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 140A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQA140N10, N-Canal-Canal, 140 A, 100 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si.
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Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQA170N06 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Propósito General, Canal N, 170 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 170A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FQA170N06, N-Canal-Canal, 170 A, 60 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si.
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Precio unitario: 2,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQA19N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.5 A, 600 V, 0.38 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FQA19N60, N-Canal-Canal, 18,5 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si.
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Precio unitario: 2,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 853 |
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FQA24N60 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23.5 A, 600 V, 0.24 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FQA24N60, N-Canal-Canal, 23 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN QFET Simple Si.
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Precio unitario: 2,832€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 399 |