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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FS50R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 25-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 62,478€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11 |
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FS50R12KT4B15 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 280W |
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Precio unitario: 69,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS50R12KT4B15BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Sixpack, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS50R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FS50R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, Econo2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 62,992€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18 |
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FS50R12W2T4BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 83 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 83A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 40,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS50R12W2T4_B11 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: IGBT2722.
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Precio unitario: 36,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS75R06KE3 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 250W
Otros nombres: IGBT3100.
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Precio unitario: 67,900€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS75R12KE3 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 350W
Otros nombres: IGBT1648.
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Precio unitario: 97,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS75R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 20 mW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, EconoPACK 2, 28-Pines Trifásico, Módulo IGBT, FS75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, EconoPACK2, 28-Pines Trifásico.
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Precio unitario: 93,295€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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FS75R12KE3GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 94,517€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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FS75R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 87,416€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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FS75R12KT3GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 97€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS75R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 86,660€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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FS75R12KT4B15BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, ECONO2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Econo2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 88,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS75R12W2T4B11 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 375W |
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Precio unitario: 48,888€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS75R12W2T4B11BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 107 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 107A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12W2T4B11BOMA1, Colector común, 107 A, 1.200 V, N-Canal, EASY2B, 33-Pines, Módulo IGBT, FS75R12W2T4B11BOMA1, Colector común, 107 A, 1.200 V, N-Canal, EASY2B, 33-Pines Trifásico.
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Precio unitario: 49,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |