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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB011N04LGATMA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,568€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB011N04NGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPB011N04NGATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 40 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 526 |
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IPB014N06NATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB014N06NATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 5 Simple Si.
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Precio unitario: 1,562€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1336 |
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IPB015N04LG |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,008€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB015N04LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 1,668€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB015N04NGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3.
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Precio unitario: 1,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB015N08N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 80 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,527€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB016N06L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,921€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2144 |
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IPB017N06N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB017N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB017N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 60 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB017N08N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 2,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 600 |
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IPB017N10N5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB017N10N5ATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7 + Tab-Pin, TO-263 IPB017N10N5 Simple.
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Precio unitario: 2,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB017N10N5LF |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 313W; PG-TO263-7
Otros nombres: TMOS2696.
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Precio unitario: 4,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB017N10N5LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB017N10N5LFATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK 7pin (TO-263 7pin) OptiMOS.
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Precio unitario: 3,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB019N06L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB019N06L3GATMA1, N-Canal-Canal, 120 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB019N08N3G |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,668€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |