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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB083N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB083N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 80 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 935 |
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IPB083N15N5LF |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Otros nombres: TMOS6144.
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Precio unitario: 2,470€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB083N15N5LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 105 A, 150 V, 0.0069 ohm, 10 V, 4.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 105A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 2,047€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 939 |
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IPB090N06N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPB090N06N3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1790 |
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IPB100N04S303 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB100N04S4H2ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPB100N04S4H2ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,583€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 955 |
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IPB100N06S205 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB100N06S205ATMA4 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 55 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 889 |
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IPB100N06S2L05 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB100N10S305ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPB100N10S305ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple, MOSFET, IPB100N10S305ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB107N20N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 88A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IPB107N20N3GATMA1, N-Canal-Canal, 88 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS Simple, MOSFET, IPB107N20N3GATMA1, N-Canal-Canal, 88 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS Simple Si.
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Precio unitario: 2,881€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1827 |
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IPB107N20NAATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 88A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 3,414€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 973 |
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IPB108N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 83 A, 150 V, 0.0091 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 83A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 1,728€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 942 |
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IPB110N20N3LF |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Otros nombres: TMOS2099.
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Precio unitario: 3,599€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB110N20N3LFATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 88 A, 200 V, 0.0098 ohm, 10 V, 3.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 88A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 3,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 457 |